通过溶液沉积法制备高效有机发光二极管

以高效的方式聚焦于印刷电子学这一新兴重要领域，特别是针对有机半导体（OS），为真正实现该技术开辟了可能性。该工艺针对螺栓机概念进行了优化。有机半导体润滑性的简化设计，在器件结构的简易性与实用效率之间取得了良好平衡，而这一问题目前仍是重大的技术难题。除主体材料的选择外，关键参数还包括形貌、组分、浓度、溶剂等，这些问题主要可归结为三个方面：旋涂成膜的位置控制、溶剂的配制，以及电荷的电学平衡。

通过溶液持久化工艺实现的润滑似乎较为简单，因其在器件纤维的性能方面具有优势。但在制备过程中需注意一些关键因素，需从35开始。首先制备基质材料。

将15毫克OXD7加入一个小瓶中。然后加入5毫克PVK。再将10毫克2PXZOXDTADF发光剂加入另一个小瓶中。

向含有主体基质的小瓶中加入2毫升氯苯，向含有TADF材料的小瓶中加入1毫升氯苯。两个小瓶中氯苯的最终浓度应为10毫克/毫升。使用洁净的小型磁力搅拌子搅拌溶液，时间不少于3小时，直至材料完全溶解。

确保小瓶用相应的瓶盖安全盖好，并用耐有机化学品的封膜严密密封，以防止溶剂蒸发。依次在超声波浴中清洗预图案化的氧化锡或ITO基底：首先在95 °C的含1% Hellmanex溶液的水中清洗，然后在室温丙酮中清洗，最后在室温异丙醇中清洗，每次清洗15分钟。操作基底时仅使用镊子，并且只能接触基底的角落。

使用氮气流处理基底，以去除任何清洗溶剂残留。然后将基底进行紫外臭氧处理5分钟，使ITO薄膜面朝上。用0.45微米的聚偏二氟乙烯滤膜过滤PEDOT:PSS溶液，并用100微升该溶液填充微量移液器。

将基底小心放置在旋涂机载物台上，并启动真空系统以固定基底。使ITO面朝上，并尽可能将基底区域居中。设置旋涂参数为3,000 RPM，持续30秒。

在低速旋转条件下设置初始步骤为两到三秒。保持微量移液器与基底垂直，将PEDOT:PSS滴加在基底中央，然后启动旋涂仪。旋涂完成后，关闭真空，用镊子取下基底。

使用浸有水的小棉签轻轻擦去阴极及基板角落周围多余的沉积薄膜，注意保持中央像素区域不受触碰。将基板置于烘箱或加热板上，在 120 摄氏度下加热 15 分钟，以去除 PEDOT:PSS 溶剂，随后将其转移至手套箱中，于室温下冷却。为制备浸渍层溶液，取 1.8 毫升主机溶液与 0.2 毫升 TADF 溶液，在洁净的小瓶中混合均匀。

使用 0.1 微米 PTFE 滤膜过滤溶液，然后在室温下搅拌 15 分钟。按照先前所述步骤操作，用旋涂仪以 2,000 RPM 的速度旋涂 60 秒来沉积第二层溶液。用浸有氯苯的棉签擦去第二层薄膜的多余部分。

将基底置于手套箱内的加热板上，在 70 摄氏度下保持 30 分钟，以彻底去除过量的氯苯。随后让其在室温下冷却。将基底插入样品架中，并装入所需的蒸镀掩膜，确保薄膜面朝下。

准备好所需的坩埚，并加入相应的材料。将带有样品的基底架放入蒸发仪的样品架中。关闭腔室并抽真空，确保遵循特定蒸发仪系统的制造商说明。

蒸镀一层40纳米厚的TNPYPB薄膜，然后蒸镀一层2纳米厚的氟化锂薄膜，最后蒸镀一层100纳米厚的铝膜。所制备LED的特性如下所示。其开启电压极低，约为3伏，对于一个双有机层器件而言，这是一个有趣的结果。

最大亮度约为 8,000 坎德拉每平方米，且未使用积分球。电流效率、功率效率和外量子效率的最大值分别约为 16 坎德拉每安培、10 流明每瓦和 8%。应在确保无任何缺陷的前提下，充分证明器件结构在简单性与可靠性之间的良好权衡。尤其重要的是，金属概念可拓展至不同类型的参数，例如有机与无机材料。

尽管我们关注特定的特异性，但主要思想是